✨Transistor lưỡng cực

Transistor lưỡng cực

Transistor lưỡng cực nối, viết tắt theo tiếng Anh là BJT (Bipolar junction transistor) là loại linh kiện bán dẫn có cấu trúc 2 tiếp xúc của 3 khối chất bán dẫn có đặc tính dẫn điện khác nhau. Từ ba khối có ba điện cực nối ra. Ở giữa là cực nền (base) ký hiệu B, hai bên là cực phát (emitter) ký hiệu E, và cực thu (collector) ký hiệu C. Đây là một linh kiện vô cùng quan trọng và có nhiều ứng dụng trong kỹ thuật điện tử. Chúng được phát minh vào năm 1948.

Transistor là chìa khóa cho hầu hết các hoạt động của các thiết bị điện tử hiện đại, từ các bộ vi xử lý cao cấp với hàng tỉ transistor trên mỗi cm2 cho tới những cục sạc điện thoại bạn vẫn dùng hàng này. Nhiều người coi nó là một trong những phát minh quan trọng nhất thế kỉ XX, sánh ngang với mạng Internet.

Mặc dù ngày nay, có hàng tỉ con transistor được sản xuất ra mỗi năm, phần lớn số transistor lại được tích hợp trong các vi mạch tích hợp mà chúng ta hay gọi là IC (Intergrated-Circuit) cùng với các linh kiện khác như điện trở, tụ điện,.... Nếu không có transistor, sẽ chẳng thế có những khái niệm như "tính toán" hay "xử lý thông tin" như hiện nay.

Giá thành, sự linh hoạt trong cách sử dụng và độ bền cao đã giúp transistor len lỏi đến mọi ngóc ngách trong cuộc sống của con người. Có thể lấy một ví dụ nho nhỏ về vai trò của transistor, đó là sự phát triển của đồng hồ. Trước đây, đồng hồ là một khối cơ khí phức tạp, hay hỏng hóc, cồng kềnh, đòi hỏi người dùng phải bảo dưỡng thườn xuyên cũng như hàng ngày phải lên dây cót cho nó,... và hàng tá phiền phức khác. Nhờ có transistor, giờ đây bạn đã chứng kiến một sự thay đổi đáng kinh ngạc của cái gọi là "đồng hồ". Như thế nào thì chắc hẳn bạn cũng đã biết. thumb| Mô hình transistor thương phẩm đầu tiên

Nhà phát minh

Hình ảnh (từ trái sang) của John Bardeen, William Shockley và Walter Brattain - các nhà phát minh ra transistor năm 1948 tại Bell Labs. Đây là một trong một loạt các hình ảnh công khai được công bố bởi Bell Labs trong khoảng thời gian công khai sáng chế (30/06/1948). Mặc dù Shockley không tham gia vào các sáng chế, và chưa bao giờ được liệt kê trên các ứng dụng bằng sáng chế, Bell Labs vẫn quyết định rằng Shockley phải xuất hiện trên tất cả các hình ảnh công khai cùng với Bardeen và Brattain.h

Phân loại

Transistor có rất nhiều loại với hàng tá chức năng chuyên biệt khác nhau

  • Transistor lưỡng cực (BJT - Bipolar junction transistor)
  • Transistor hiệu ứng trường (Field-effect transistor)
  • Transistor mối đơn cực UJT (Unijunction transistor)

  • Trong đó, transistor lưỡng cực BJT là phổ biến nhất. Có nhiều người thường xem khái niệm transistor như là transistor lưỡng cực BJT. Do vậy bạn nên chú ý đến điều đó để tránh nhầm lẫn cho mình.

Cấu tạo

Transistor gồm 3 lớp bán dẫn loại P và loại N ghép lại với nhau. Do đó có hai loại transistor là NPN và PNP tương ứng với 2 cách sắp xếp 3 lớp bán dẫn trên.

Xét trên phương diện cấu tạo, transistor tương đương với 2 diode

Như hình vẽ, transistor có 3 cực là B (Base), C (Collector) và E (Emitter) tương ứng với 3 lớp bán dẫn. Sự phân hóa thành 3 cực này là do đặc tính vật lý của 3 lớp bán dẫn là khác nhau.

Ký hiệu trong mạch điện

Trong một số mạch điện, điển hình như sơ đồ vẽ bằng Fritzing, bạn cũng có thể sẽ gặp những ký hiệu như thế này

Nguyên lý hoạt động

Một số quy ước về ký hiệu:

  • IB: (cường độ) dòng điện qua cực Base của transistor.
  • IC: (cường độ) dòng điện qua cực Collector của transistor.
  • IE: (cường độ) dòng điện qua cực Emitter của transistor.
  • IR: (cường độ) dòng điện qua điện trở R.
  • VBE: (độ lớn) hiệu điện thế giữa 2 cực Base và Emitter của transistor. Các thông số tương tự cũng dùng ký hiệu tương tự.
  • UB: điện áp ở cực Base. Các thông số tương tự cũng dùng ký hiệu tương tự.

Transistor ngược NPN

Xét mạch điện sau

Quan sát, đo đạc

  • Khi khóa K mở, không có dòng điện qua cực Base, điện trở R không tỏa nhiệt chứng tỏ không có dòng điện qua nó.
  • Khi khóa K đóng, điện trở R tỏa nhiệt chứng tỏ có dòng điện qua nó, đồng thời cũng có dòng điện qua cực Base của transistor. Có dòng điện qua R chứng tỏ có dòng điện đã đi vào transistor ở Collector. Điều này khẳng định rằng phải có dòng điện đi ra từ Emitter để về cực âm của nguồn. Không thể có dòng điện đi ra từ cực Base, chỉ có thể là chiều ngược lại vào cực này. Xét về độ lớn, nếu lấy đồng hồ đo IB, IC (IR = IC), IE thì ta thấy IB nhỏ hơn rất nhiều so với IC và IE, còn IE thì luôn lớn hơn IC một chút xíu. Có thể kết luận dòng điện trong mạch chủ yếu là dòng đi từ Collector đến Emitter của transistor. Điều này giải thích lý do vì sao trong ký hiệu transistor, người ta sử dụng một mũi tên ám chỉ chiều dòng điện. Nếu tính toán một tí từ độ lớn của IB, IC, IE, ta nhận thấy IE gần bằng IB + IC. Hãy thử giảm 2 điện trở trong mạch xuống một chút xíu (thay điện trở khác) để nâng cường độ dòng điện lên, bạn sẽ thấy IE gần bằng IB + IC hơn. Như vậy, khi transistor hoạt động, dòng điện ra khỏi Emitter là dòng điện đi vào từ Collector đến Emitter và dòng điện đi vào từ Base đến Emitter.

Thử nghiệm 1

Thay vì mắc điện trở R ở phía Collector, ta thử mắc nó ở phía Emitter của transistor. Rõ ràng điều này không có khác biệt gì nhiều về mặt hoạt động so với cách mắc trước.

Bây giờ, ta sử dụng một cầu phân áp để thay đổi điện áp đặt vào cực Base của transistor. Tính toán lại các điện trở sao cho cường độ dòng điện vào Base vẫn không đổi.

Khi đóng khóa K, kiểm tra điện trở R, ta thấy nó tỏa nhiệt ít hơn hẳn so với ban đầu. Tại sao vậy ? Cường độ dòng điện qua điện trở vẫn không đổi, nhưng công suất tỏa nhiệt của nó giảm chứng tỏ hiệu điện thế giữa 2 đầu điện trở giảm. Sử dụng đồng hồ đo điện áp tại 3 cực của transistor, ta nhận thấy rằng UB gần bằng UE.

Thay đổi các điện trở phân áp, ta thay đổi UB. Bằng các phép đo bởi đồng hồ, ta nhận thấy rằng hiệu UB - UE luôn bằng khoảng 0.5V trong mọi trường hợp thay đổi UB. Có thể kết luận rằng trong quá trình hoạt động của transistor, UB luôn gần bằng UE.

Thử nghiệm 2

Thay đổi điện trở Rg, sau đó đo dòng IB và IC. Ta nhận thấy khi IB tăng thì IC cũng tăng. Với nhiều giá trị Rg, ta thấy IB luôn tăng/giảm tỉ lệ thuận với IC.

Khi UB = UC (VBC = 0), IB đạt cực đại khiến IC cũng đạt cực đại, transistor được gọi là mở hoàn toàn. Khi UB = 0V (VBC = UC), IB = 0A khiến IC = 0A, transistor được gọi là đóng hoàn toàn, không có dòng điện chạy trong mạch.

Về bản chất, transistor là linh kiện được đóng/mở bằng cường độ dòng điện qua cực Base. Trên thực tế, theo định luật Ôm, cường độ dòng điện I trong mạch tỉ lệ thuận với hiệu điện thế U đặt vào 2 đầu mạch. Do vậy, nhiều người nhầm lẫn rằng transistor được điều khiển đóng/mở bằng điện áp đặt vào cực Base. Họ quên mất rằng cường độ dòng điện trên mạch còn tỉ lệ nghịch với điện trở R. Ở đây, hiệu điện thế và điện trở chỉ là 2 yếu tố quyết định cường độ dòng điện qua cực Base.

Ta có thể so sánh 1 cách trực quan dễ hiểu như sau:

Nếu ví dòng điện như dòng nước, còn hiệu điện thế là áp lực nước trong ống dẫn thì transistor được xem như là một cái vòi nước với cực B là van điều chỉnh. Dòng nước chảy ra khỏi vòi mạnh hay yếu, đóng hay mở hoàn toàn phụ thuộc vào cách ta điều khiển van của vòi.

Transistor thuận PNP

Transistor loại PNP tương tự loại NPN như tôi đã trình bày ở trên, nhưng có một số điểm ngược lại như sau:

  • Dòng điện được điều khiển qua transistor PNP là dòng điện đi từ Emitter sang Collector.
  • Dòng IE và IB tỉ lệ nghịch với nhau. IB đạt cực đại thì IE = 0A. IB = 0A thì IE đạt cực đại. Tới đây thì có lẽ bạn đã hiểu vì sao lại có transistor thuận - nghịch.

Các thông số cần quan tâm

Các ký hiệu ở đây được sử dụng cho transistor loại NPN. Transistor loại PNP cũng có những thông số hoàn toàn tương tự. Chúng được nhà sản xuất ghi rất cụ thể trong tài liệu kĩ thuật của mỗi loại transistor.

  • Dòng điện cực đại qua cực Base IB Mỗi loại transistor có các mức dòng IB cực đại khác nhau, đừng nghĩ rằng transistor càng to và hầm hố thì IB cực đại sẽ càng lớn hay ngược lại. Nếu dòng điện qua cực Base của transistor vượt quá mức IB cực đại, nó có thể làm hỏng transistor. Do vậy người ta luôn mắc nối tiếp với cực Base một điện trở hạn dòng.
  • Hệ số khuếch đại hFE (β) Là tỉ số IC / IB đặc trưng cho khả năng khuếch đại dòng điện của transistor. Mỗi loại transistor có một mức hệ số khuếch đại khác nhau. Trong những điều kiện làm việc khác nhau, hFE cũng khác nhau. Với các transistor có hFE lớn, bạn chỉ cần một dòng IB nhỏ là đã có thể kích cho nó mở hoàn toàn. hFE** thường có trị số từ vài chục đến vài ngàn.
  • _Cường độ dòng điện cực đại IC_ là dòng điện tối đa mà transistor có thể mở cho nó đi vào ở cực Collector. Các loại transistor lớn nhất thường chỉ có IC tối đa khoảng 5A và đòi hỏi phải có quạt tản nhiệt.
  • Hiệu điện thế: UCE: hiệu điện thế tối đa giữa 2 cực Collector và Emitter của transistor. UCE thường chỉ có trị số từ vài chục đến vài trăm volt. Các dự án Arduino hầu hết đều chạy ở mức 5V hoặc thấp hơn, do đó bạn cũng không cần phải quan tâm nhiều đến thông số này. UCB: hiệu điện thế tối đa giữa 2 cực Collector và Base của transistor. UBE thường chỉ có trị số từ vài chục đến vài trăm volt Các dự án Arduino hầu hết đều chạy ở mức 5V hoặc thấp hơn, do đó bạn cũng không cần phải quan tâm nhiều đến thông số này. UBE: hiệu điện thế tối đa giữa 2 cực Base và Emitter của transistor (là hiệu UB - UE). Với dòng hoạt động nhỏ, UBE gần bằng 0V. Với dòng lớn hơn, UBE sẽ tăng lên lên khá nhanh. Với đa phần transistor, UBE** hiếm khi vượt quá 5V.
  • _Công suất tiêu tán năng lượng tối đa (Device Dissipation/Power Dissipation)_ đặc trưng cho công suất hoạt động lớn nhất của transistor, có giá trị bằng tích UCE * ICE. Một số loại transistor lớn có công suất lên đến 65W như TIP120/121/122 và tỏa ra rất nhiều nhiệt lượng nên cần phải gắn thiết bị tản nhiệt, một số khác như 2N3904 thì chỉ là 625mW và không cần tản nhiệt.

Các đặc trưng hoạt động

Các ứng dụng điển hình

Mạch khuếch đại

Mạch điều khiển đóng mở RƠ LE ...

Khuếch đại điện áp một chiều

  • Khuếch đại: Transistor được dùng trong các mạch khuếch đại một chiều (DC), khuếch đại tín hiệu (AC), mạch khuếch đại vi sai, các mạch khuếch đại đặc biệt, mạch ổn áp…

Trong mạch các điện trở hồi tiếp R=22K, R=68K (hồi tiếp từ cực góp T2 về) và R=220Ω xác định hệ số khuếch đại của mạch:

KU = 68K/22K/220Ω = 16,7K/0.22K =75

Các điện trở hồi tiếp một chiều R = 3,9K và R = 68K từ T2 về để ổn định chế độ làm việc của mạch.

Khuếch đại điện áp xoay chiều

Tín hiệu sử dụng trong mạch là tín hiệu xoay chiều

Khuếch đại công suất

Ứng dụng trong khuếch đại công suất cho hệ thống âm thanh, hệ thống điều khiển.

Mạch này thường làm việc với hiệu điện thế cao và dòng lớn.

Khuếch đại chuyển mạch

Ứng dụng trong điều khiển rơ le chuyển mạch. Thậm chí bản thân các BJT cũng là một chuyển mạch.

Ứng dụng để điều khiển động cơ

Xét một ứng dụng thực tế là chiếc xe dò đường. 2 động cơ của nó được một mạch 2 transistor điều khiển.

Tham khảo sơ đồ mạch điều khiển một động cơ sau

Nếu sử dụng transistor TIP120 _(cấu tạo) hoặc tương đương, bạn không cần mắc thêm diode như trong hình._

👁️ 2 | 🔗 | 💖 | ✨ | 🌍 | ⌚
💫 Transistor lưỡng cực
**Transistor lưỡng cực nối**, viết tắt theo tiếng Anh là **BJT** (_Bipolar junction transistor_) là loại linh kiện bán dẫn có cấu trúc 2 tiếp xúc của 3 khối chất bán dẫn có đặc tính
💫 Transistor đa cực
thumb|Cổng NAND lập theo TTL loại 7400 với tetrod 2 emitter ngõ vào **Transistor đa cực** là transistor có nhiều cực ngõ ra nối từ các lớp bán dẫn hoạt động. * Trong transistor lưỡng
💫 Transistor
**Transistor** là một loại _linh kiện bán dẫn chủ động_, thường được sử dụng như một phần tử khuếch đại hoặc một khóa điện tử. Transistor nằm trong đơn vị cơ bản tạo thành một
💫 Transistor hiệu ứng trường
**Transistor hiệu ứng trường** hay **Transistor trường**, viết tắt là **FET** (tiếng Anh: Field-effect transistor) là nhóm các linh kiện bán dẫn loại transistor có sử dụng điện trường để kiểm soát tác động đến
💫 Transistor Darlington
**Transistor Darlington** còn gọi là _cặp Darlington_, là _cấu trúc hỗn hợp_ gồm hai transistor lưỡng cực cùng kiểu npn hoặc pnp kết nối theo cách thức để khuếch đại dòng của transistor đầu được
💫 Transistor hiệu ứng trường hóa học
thumb|Cấu tạp cảm biến ChemFET. Điện thế cổng kiểm soát dòng điện giữa nguồn và điện cực cống. **Transistor hiệu ứng trường hóa học**, viết tắt theo tiếng Anh là **ChemFET**, là MOSFET nhạy cảm
💫 Transistor đơn nối
**Transistor đơn nối UJT** là _phần tử bán dẫn ba cực_ nhưng chỉ có một tiếp giáp, hoạt động như một _khóa có điều khiển_. Các UJT _không_ được sử dụng như một bộ khuếch
💫 JFET
**Transistor JFET** là _transistor hiệu ứng trường cổng nối_ (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của _transistor hiệu ứng trường_. Nó là phần tử bán dẫn ba chân, được sử dụng làm phần
💫 PNP
**PNP** là một trong hai loại transistor lưỡng cực, loại thứ hai là NPN. Là một linh kiện điện tử do kết hợp 2 chất bán dẫn điện "N" ám chỉ _negative_ nghĩa là "cực
💫 Cơ học lượng tử
thumb|upright=1.3|Các [[hàm sóng của electron trong một nguyên tử hydro tại các mức năng lượng khác nhau. Cơ học lượng tử không dự đoán chính xác vị trí của một hạt trong không gian, nó
💫 Điện cực
**Điện cực** còn gọi gọn là _cực_, là một _phần tử dẫn điện_ được sử dụng để tạo _tiếp xúc điện_ của một mạch điện với môi trường cụ thể nào đó, từ đó thực
💫 Máy đo từ lượng tử
**Máy đo từ lượng tử**, còn gọi là _Máy đo từ kiểu bơm quang học_ (Optically Pumped Magnetometer), là loại _máy đo từ_ hoạt động dựa trên quan sát hiện tượng phân tách _mức năng
💫 CMOS
thumb|Mạch đảo dùng CMOS **CMOS**, viết tắt của "**Complementary Metal-Oxide-Semiconductor**" trong tiếng Anh, là thuật ngữ chỉ một loại công nghệ dùng để chế tạo mạch tích hợp. Công nghệ CMOS được dùng để chế
💫 Khuếch đại thuật toán
**Mạch khuếch đại thuật toán** (tiếng Anh: operational amplifier), thường được gọi tắt là **op-amp** là một mạch khuếch đại "DC-coupled" (tín hiệu đầu vào bao gồm cả tín hiệu BIAS) với hệ số khuếch
💫 Lịch sử phần cứng máy tính
[[Phần cứng|Phần cứng máy tính là nền tảng cho xử lý thông tin (sơ đồ khối). ]] **Lịch sử phần cứng máy tính** bao quát lịch sử của phần cứng máy tính, kiến trúc của
💫 Linh kiện điện tử
thumb|Linh kiện điện tử Các **linh kiện điện tử** là các _phần tử rời rạc cơ bản_ có những tính năng xác định được dùng cho ghép nối thành _mạch điện_ hay _thiết bị điện
💫 Điện
thumb|upright=1.2|alt=Multiple lightning strikes on a city at night|[[Tia sét và chiếu sáng đô thị là hai trong những hiện tượng ấn tượng nhất của điện.]] **Điện** là tập hợp các hiện tượng vật lý đi
💫 IGBT
**IGBT** (insulated-gate bipolar transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982.
💫 Linh kiện bán dẫn
Các **linh kiện bán dẫn** hay _phần tử bán dẫn_ là các _linh kiện điện tử_ khai thác tính chất điện tử của _vật liệu bán dẫn_, như silic, germani, và arsenua galli, cũng như
💫 TTL (logic)
thumb||[[Vi mạch 7400, 4 cổng NAND. Dòng mã loạt: sản xuất năm _19_76, tuần 45]] **Transistor-transistor logic** viết tắt là _TTL_ là họ logic (logic family) được xây dựng từ các transistor lưỡng cực. Tên
💫 Vi mạch
thumb|CPU [[Intel 80486 DX2 có kích thước 12×6.75 mm.]] **Vi mạch** (tiếng Anh: _microchip_) hay **vi mạch tích hợp**, hoặc **mạch tích hợp** (tiếng Anh: _integrated circuit_, gọi tắt **IC**, còn gọi là **chip** theo
💫 Trancitor
[[Tập tin:Four possible kinds of active electronic devices.tif|thumb|Danh sách lý thuyết các linh kiện hoạt động cơ bản được suy ra từ 4 kết hợp có thể có của dòng điện và điện áp ở
💫 Đặng Lương Mô
**Đặng Lương Mô** (1936 – 6 tháng 5 năm 2025) là một nhà khoa học người Việt Nam trong lĩnh vực vi mạch. Phần lớn cuộc đời ông sống và làm việc tại Nhật Bản.
💫 Harold Stephen Black
**Harold Stephen Black** (14/4/1898 – 11/12/1983) là một kỹ sư điện người Mỹ, người đã cách mạng hóa lĩnh vực điện tử ứng dụng bằng phát minh bộ khuếch đại phản hồi âm vào năm
💫 Indi phosphide
**Indi phosphua** hay **phosphua indi** (**InP**) là một chất bán dẫn nhị phân bao gồm indi và phosphor. Nó có cấu trúc tinh thể hình khối đặt chính giữa mặt ("_Zincblende_"), giống hệt với GaAs
💫 Điều khiển bền vững
**Điều khiển bền vững** là một nhánh của lý thuyết điều khiển tự động với cách tiếp cận thiết kế bộ điều khiển một cách rõ ràng để giải quyết sự không chắc chắn. Các
💫 Độ khuếch đại
Trong kỹ thuật điện tử **độ khuếch đại** hay **độ khuếch**, **độ lợi** là đánh giá định lượng khả năng của mạch hai ngõ (hay hai cổng), thường là các bộ khuếch đại, về tác
💫 CPU
**CPU** viết tắt của chữ **_central processing unit_** (tiếng Anh), tạm dịch là **Bộ xử lý trung tâm**, là mạch điện tử thực hiện các câu lệnh của chương trình máy tính bằng cách thực
💫 Vi ba
**Vi ba** hay **vi sóng** (Tiếng Anh: _microwave_) là sóng điện từ có bước sóng dài hơn tia hồng ngoại, nhưng ngắn hơn sóng radio. Vi ba còn gọi là sóng **tần số siêu cao
💫 ISFET
thumb|Mô hình hoạt động của ISFET. Dòng điện trong kênh từ cực máng (drain) đến cực nguồn (source), được kiểm soát bởi điện thế cực cửa (gate). [[Điện cực tham chiếu để xác định điện
💫 Điện áp ngưỡng
thumb|Kết quả mô phỏng sự hình thành kênh đảo ngược (mật độ điện tử) và đạt được điện áp ngưỡng (IV) trong MOSFET nanowire Lưu ý rằng điện áp ngưỡng cho thiết bị này nằm
💫 Điện tử học spin
**Điện tử học spin** (tiếng Anh: _spintronics_) là một ngành đa lĩnh vực mà mục tiêu chính là thao tác và điều khiển các bậc tự do của spin trong các hệ chất rắn. Nói
💫 FGMOS
thumb|left|Mặt cắt MOSFET cổng trôi thumb|Ký hiệu FGMOS một lớp cổng trôi (đường đậm) và ba cực cổng V **FGMOS** hay **MOSFET cổng trôi** (tiếng Anh: _floating-gate MOSFET_) hoặc **transistor cổng trôi** là transistor hiệu
💫 Electron
**Electron** hay **điện tử**, là một hạt hạ nguyên tử, có ký hiệu là hay , mà điện tích của nó bằng trừ một điện tích cơ bản. Các electron thuộc về thế hệ thứ
💫 Công nghệ nano
**Công nghệ nano** là việc sử dụng vật chất ở quy mô nguyên tử, phân tử và siêu phân tử cho các mục đích công nghiệp. Mô tả phổ biến sớm nhất về công nghệ
💫 Nguồn nuôi kiểu chuyển mạch
thumb|Bên trong bộ nguồn máy tính ATX Trong kỹ thuật điện tử bộ **nguồn nuôi kiểu chuyển mạch** là bộ nguồn nuôi thực hiện biến đổi điện sơ cấp DC sang tần số siêu âm,
💫 RAM Laptop Samsung 8GB DDR4 2400MHz SODIMM - Hàng Nhập Khẩu
Băng thông cực cao RAM Laptop Samsung 8GB DDR4 2400MHz SODIMM với băng thông tiêu chuẩn đạt 2400Mbps và có thể đạt đến 3200Mbps của JEDEC và băng thông DDR4 cao gấp đôi so với
💫 Chất bán dẫn
**Chất bán dẫn** (tiếng Anh: **_Semiconductor_**) là chất có _độ dẫn điện_ ở mức trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Chất bán dẫn hoạt động như một chất cách điện ở
💫 Cuộn dây Tesla
thumb|upright=1.3|Hình 1: Cuộn dây Tesla đang hoạt động cho thấy chùm tia lửa điện hình chổi phóng ra từ tụ điện hình xuyến đạt trên đầu cuộn thứ cấp **Cuộn dây Tesla** là một máy
💫 Cách mạng công nghiệp lần thứ ba
**Cuộc cách mạng công nghiệp lần 3**, hay còn được gọi **Cách mạng kỹ thuật số** (), kỷ nguyên công nghệ thông tin, diễn ra từ những năm 1950 đến cuối những năm 1970, với
💫 Vật lý vật chất ngưng tụ
**Vật lý vật chất ngưng tụ** là một trong các nhánh của vật lý học nghiên cứu các tính chất vật lý trong pha ngưng tụ của vật chất. Các nhà vật lý vật chất
💫 Công nghệ nano DNA
thumb|Công nghệ nano DNA liên quan tới việc tạo nên những cấu trúc nano từ các [[DCM china my vn, chẳng hạn như khối tứ diện DNA này. Mỗi cạnh của tứ diện là một
💫 Sanyo
, viết tắt là SANYO, là một công ty điện tử Nhật Bản và trước đây là thành viên của _Fortune_ Global 500, trụ sở chính đặt tại Moriguchi, tỉnh Osaka, Nhật Bản. **Sanyo** có
💫 Diode quang
**Diode quang** hay **Photodiode** là một loại _diode bán dẫn_ thực hiện chuyển đổi photon thành điện tích theo hiệu ứng quang điện. Các photon có thể là ở vùng phổ ánh sáng nhìn thấy,
💫 CPU Intel
**CPU Intel** là các loại CPU do hãng Intel thiết kế và sản xuất. ## Lịch sử CPU Intel ### Bộ xử lý 4-bit 4004 là bộ vi xử lý đầu tiên được Intel giới
💫 Điện tử học
nhỏ|phải|Hai [[Vôn kế điện tử]] **Điện tử học**, gọi tắt là **khoa điện tử**, là một lĩnh vực khoa học nghiên cứu và sử dụng các thiết bị điện hoạt động theo sự điều khiển
💫 Ổn áp
**Ổn áp** là hệ thống điện được thiết kế để _tự động duy trì_ việc cấp ra một mức _điện áp ra ổn định_. Thuật ngữ _Ổn áp_ áp dụng cho cả dòng một chiều
💫 RAM động
**Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động** (**DRAM** hay **RAM động**) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích
💫 Màn hình tinh thể lỏng
**Công nghệ màn hình tinh thể lỏng** hay **LCD** (tiếng Anh: **L**iquid-**C**rystal **D**isplay) là loại công nghệ hiển thị cấu tạo bởi các tế bào (các điểm ảnh) chứa tinh thể lỏng có khả năng
💫 Ống nano carbon
Mô hình 3D của ba loại ống nano carbon đơn vách. Hoạt hình cho thấy cấu trúc 3 chiều của một ống nano. **Các ống nano carbon** (Tiếng Anh: Carbon nanotube - CNT) là một