William Bradford Shockley (13 tháng 2, năm 1910 – 12 tháng 8, năm 1989) là một nhà vật lý và nhà phát minh người Mỹ sinh tại Anh.
Cùng với John Bardeen và Walter Houser Brattain, Shockley là người đồng phát minh ra transistor. Nhờ phát minh này họ nhận được giải Nobel Vật lý vào năm 1956. Những nỗ lực của Shockley trong việc thương mại hóa một loại transistor mới từ năm 1950 đến những năm 1960 đã dẫn đến "Silicon Valley" trở thành một nơi cách tân các thiết bị điện tử, những thiết bị này đóng vai trò lớn trong việc phát triển nhanh chóng của khoa học kỹ thuật trong nửa cuối thế kỷ này. Shockley là giáo sư tai trường Đại học Stanford, ông là người ủng hộ thuyết ưu sinh.
Thời trẻ
Shockley sinh tại London, cha mẹ ông là người Mỹ, ông lớn lên ở California. Ông nhận bằng kỹ sư từ Đại học Kỹ thuật California năm 1932. Khi còn là một sinh viên, vào tháng 8 năm 1933, Shockley đã cưới vợ là Iowan Jean Bailey. Tháng 3 năm 1934 ông và Jean đã có con gái, Alison. Shockley nhân bằng Tiến sĩ từ Học viện Công nghệ Massachusetts (MIT) vào năm 1936. Đề tài luận án tiến sĩ của ông là Các tính toán về Hàm số sóng điện từ trong tinh thể Natri chloride. Sau khi nhận bằng tiến sĩ, ông gia nhập nhóm nghiên cứu được lãnh đạo bởi tiến sĩ C.J. Davisson tại Bell Labs ở New Jersey.
Khi Chiến tranh thế giới thứ hai nổ ra, Shockley bị cuốn vào việc nghiên cứu về radar tại một phòng thí nghiệm ở Whippany, New Jersey. Tháng 5 năm 1942 ông rời Bell Labs và trở thành giám đốc nghiên cứu của nhóm Nghiên cứu hoạt động chống tàu ngầm của Đại học Columbia. Các nghiên cứu này bao gồm cả việc phát minh ra những phương pháp chống lại các chiến thuật của tàu ngầm do việc phát triển kỹ thuật hộ vệ, quan sát, theo dõi những loại bom phá tàu.Dự án này đòi hỏi phải thường xuyên đi lại giữa Pentagon và Washington, nơi Shockley gặp các sĩ quan cấp cao và các quan chức chính phủ. Năm 1944, ông đã tổ chức một chương trình đào tạo cho các phi công lái máy bay ném bom B-29 để sử dụng loại radar mới phát hiện bom. Nhờ dự án này, Bộ trưởng Chiến tranh Robert Patterson đã trao tặng Shockley Huân chương Merit vào năm 1946.
Transistor bán dẫn
Chất bán dẫn của Shockley
Các bằng sáng chế
Shockley được công nhận là chủ nhân của trên 90 bằng sáng chế ở Hoa Kỳ. Một số đáng chú ý là:
- "Semiconductor Amplifier". Applied for on Sept. 24, 1948; His first involving transistors.
- "Bistable Circuits". Applied for on ngày 22 tháng 7 năm 1952; Used in computers.
- "Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment". Applied for on Oct. 28, 1954; The diffusion process for implantation of impurities.
- "Process for Growing Single Crystals". Applied for on Feb. 20, 1959; Improvements on process for production of basic materials.
- "Method of Growing Silicon Carbide Crystals". Applied for on Sept. 26, 1960; Exploring other semiconductors.
Các sách của Shockley
- Shockley, William Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
- Shockley, William Mechanics Merrill (1966).
- Shockley, William and Pearson, Roger Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.
Sách về Shockley
- Joel N. Shurkin; _Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age_. New York: Palgrave Macmillan. 2006. ISBN 1-4039-8815-3
- Michael Riordan and Lillian Hoddeson; _Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age_. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-31851-6 pbk.
👁️
1 | 🔗 | 💖 | ✨ | 🌍 | ⌚
**William Bradford Shockley** (13 tháng 2, năm 1910 – 12 tháng 8, năm 1989) là một nhà vật lý và nhà phát minh người Mỹ sinh tại Anh. Cùng với John Bardeen và Walter Houser
**Diode Shockley** là một loại diode bán dẫn bốn lớp, là một trong những thiết bị bán dẫn đầu tiên được phát minh. Đó là một diode "_pnpn_". Nó tương đương với một thyristor ngắt
**Walter Houser Brattain** (10.2.1902– 13.10.1987) là nhà vật lý học người Mỹ làm việc ở Bell Labs, đã cùng với John Bardeen và William Shockley phát minh ra transistor. Họ đã cùng đoạt chung Giải
nhỏ|299x299px|Robert Noyce **Robert Norton Noyce** (12/12/1927 – 3/6/1990), biệt hiệu "Thị trưởng của Thung Lũng Silicon", đồng sáng lập Fairchild Semiconductor năm 1957 và Intel Corporation năm 1968. Ông cũng là nhà đồng phát minh
**Transistor lưỡng cực nối**, viết tắt theo tiếng Anh là **BJT** (_Bipolar junction transistor_) là loại linh kiện bán dẫn có cấu trúc 2 tiếp xúc của 3 khối chất bán dẫn có đặc tính
thumb|upright|[[Wilhelm Röntgen (1845–1923), người đầu tiên nhận giải Nobel Vật lý.]] Mặt sau huy chương giải Nobel vật lý **Giải Nobel Vật lý** là giải thưởng hàng năm do Viện Hàn lâm Khoa học Hoàng
Ngày **16 tháng 12** là ngày thứ 350 (351 trong năm nhuận) trong lịch Gregory. Còn 15 ngày trong năm. ## Sự kiện *755 – Tiết độ sứ An Lộc Sơn khởi binh chống triều
|commander2=|units1=_Lực lượng Mặt đất_: **Bộ chỉ huy Lục quân Hoa Kỳ, Thái Bình Dương** * Tập đoàn quân số 6 * Tập đoàn quân số 8 * Tập đoàn quân số 1 * Các đơn
Ngày **13 tháng 2** là ngày thứ 44 trong lịch Gregory. Còn 321 ngày trong năm (322 ngày trong năm nhuận). ## Sự kiện trong nước *1885 – Chiến tranh Pháp–Thanh: Quân Pháp chiếm thành
**Giải Vật lý Comstock** là một giải thưởng của Viện hàn lâm Khoa học quốc gia Hoa Kỳ dành cho "công trình phát hiện sáng tạo gần đây hoặc công trình nghiên cúu về điện,
thumb|Bức phù điêu "Nghiên cứu cầm ngọn đuốc tri thức" (1896) của Olin Levi Warner, ở Tòa nhà Thomas Jefferson, [[Thư viện Quốc hội Hoa Kỳ.]] **Nghiên cứu** là "_hoạt động sáng tạo được thực
**John Bardeen** (23 tháng 5 năm 1908 - 30 tháng 1 năm 1991) là một nhà vật lý và kĩ sư điện người Mỹ, ông là người đã hai lần giành được giải Nobel: lần
thumb|Biểu diễn lớp của thyristor. **Thyristor** hay _Chỉnh lưu silic có điều khiển_ là phần tử bán dẫn cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn, ví dụ như P-N-P-N, tạo ra ba lớp tiếp giáp
**Công ty Hewlett-Packard**, hay ngắn gọn hơn là **HP**, là tập đoàn công nghệ thông tin lớn trên thế giới. HP thành lập năm 1939 tại Palo Alto, California, Hoa Kỳ. HP hiện có trụ
**Vật lý vật chất ngưng tụ** là một trong các nhánh của vật lý học nghiên cứu các tính chất vật lý trong pha ngưng tụ của vật chất. Các nhà vật lý vật chất
**Charles Hard Townes** (sinh 28 tháng 7 năm 1915 - mất 27 tháng 1, năm 2015) là nhà vật lý người Mỹ. Ông đoạt Giải Nobel Vật lý năm 1964 chung với Nicolay Gennadiyevich Basov
**Cuộc cách mạng công nghiệp lần 3**, hay còn được gọi **Cách mạng kỹ thuật số** (), kỷ nguyên công nghệ thông tin, diễn ra từ những năm 1950 đến cuối những năm 1970, với
**Robert N. Hall** (sinh ngày 25/12/1919) là một kỹ sư người Mỹ và là nhà vật lý ứng dụng. Ông đã trình diễn laser bán dẫn tức _điốt laser đầu tiên_ vào năm 1962, và
**Transistor hiệu ứng trường** hay **Transistor trường**, viết tắt là **FET** (tiếng Anh: Field-effect transistor) là nhóm các linh kiện bán dẫn loại transistor có sử dụng điện trường để kiểm soát tác động đến
nhỏ|Các kỹ sư điện thiết kế các hệ thống điện phức tạp... upright|Vi mạch điện tử, với công nghệ mới chỉ còn 1 nano mét cho một cổng logic **Kỹ thuật điện** là một lĩnh
430x430px|thumb ## Sự kiện ### Tháng 1 * 1 tháng 1: Thành lập nước cộng hòa dân chủ Sudan. ### Tháng 2 * 14 tháng 2: Đảng cộng sản Liên Xô họp đại biểu toàn
Theo chiều kim đồng hồ từ bên trái: Trận **[[Động đất Loma Prieta 1989|động đất** xảy ra tại khu vực Vịnh San Francisco khiến 63 người thiệt mạng; Tài liệu đầu tiên đề xuất cho