✨Robert Noyce

nhỏ|299x299px|Robert Noyce

Robert Norton Noyce (12/12/1927 – 3/6/1990), biệt hiệu "Thị trưởng của Thung Lũng Silicon", đồng sáng lập Fairchild Semiconductor năm 1957 và Intel Corporation năm 1968. Ông cũng là nhà đồng phát minh (cùng với Jack Kilby) của mạch tích hợp hay microchip (vi mạch), khởi nguồn cuộc cách mạng máy tính cá nhân, đồng thời ông cũng là người đặt tên cho Thung lũng Silicon.

Tiểu sử

Là một người năng nổ trong suốt cuộc đời mình, Noyce thích đọc các tác phẩm của Hermingway, tự lái máy bay riêng, cùng các hoạt động thể thao như bay lượn bằng dù, và lặn. Noyce tin rằng lĩnh vực vi điện tử sẽ tiếp tục phát triển vượt xa hiện trạng về cả độ phức tạp cũng như sự tinh tế, dẫn đến câu hỏi về những gì xã hội sẽ làm được dựa trên công nghệ. Trong cuộc phỏng vấn cuối cùng, Noyce đã được hỏi ông sẽ làm gì nếu ông là "hoàng đế" của Hoa Kỳ. Ông trả lời rằng, bên cạnh những thứ khác, ông sẽ "...đảm bảo rằng chúng ta có sự chuẩn bị cho thế hệ tiếp theo phát triển mạnh trong một thời đại công nghệ cao. Và điều đó có nghĩa là nền giáo dục của tầng lớp thấp nhất, nghèo nhất, cũng như trình độ sau tốt nghiệp."

Những năm đầu đời

Noyce được sinh vào ngày 12 tháng 12 năm 1927, tại Burlington, Iowa, là con thứ ba trong một gia đình có bốn người con của Mục sư Ralph Brewster Noyce. Cha ông tốt nghiệp trường Cao đẳng Doane (1915), Cao đẳng Oberlin (1920), và Chủng viện thần học Chicago (1923). Ông cũng đã được đề cử một Học bổng Rhodes. Mục sư Noyce làm việc như một giáo sĩ giáo đoàn và là giám sư của Hội nghị Iowa của giáo đoàn Giáo hội trong những năm 1930 và 1940.

Mẹ ông, bà Hariet May Norton, là con gái của Mục sư Milton J.Norton, một mục sư giáo đoàn, với bà Louise Hill. Mẹ ông tốt nghiệp Cao đẳng Oberlin vào năm 1921 và đã mơ ước trở thành một nhà truyền giáo trước khi kết hôn. Bà đã được mô tả như một người phụ nữ thông minh và có ý chí chỉ huy.

Noyce có ba anh chị em: Donal Sterling Noyce, Gaylord Brewster Noyce và Ralph Harold Noyce. Ký ức tuổi thơ sớm nhất của ông liên quan đến việc ông thắng cha mình trong chò ping pong và cảm thấy hoàn toàn bị sốc khi mẹ ông phản ứng với chiến thắng ly kỳ này bằng một sự phân tâm "Thật tốt khi bố để con giành chiến thắng đúng không?" Kể cả khi mới năm tuổi, Noyce đã cảm thấy bị xúc phạm bởi những quan niệm cố ý thua trong bất cứ điều gì. "Đó không phải là một trò chơi," ông giận dỗi với mẹ mình. "Nếu bạn chơi, hãy chơi để giành chiến thắng!"

Vào mùa hè năm 1940, ở tuổi 12, ông đã cùng em mình chế tạo một máy bay có kích thước bằng một cậu bé, họ đã từng dùng nó để bay từ nóc chuồng ngựa Cao đẳng Grinnell. Sau đó ông đã tạo nên một máy thu thanh từ đầu và cơ giới xe trượt tuyết của mình bằng cách hàn một cánh quạt và một động cơ của một máy giặt cũ vào mặt sau của xe trượt tuyết. Cha mẹ ông đều là những tín đồ nhưng Noyce trở thành một người độc lập và phi tôn giáo trong cuộc sống sau này.

Giáo dục

Trưởng thành ở Grinnell, Iowa Noyce nhập học tại các trường địa phương. Ông thể hiện tài năng trong lĩnh vực toán học và khoa học khi đang học trung học và vào năm cuối cấp, ông đã được tham dự lớp sinh viên năm nhất khoa Vật lý của Cao đẳng Grinnell. Ông tốt nghiệp trường Trung học Grinnell vào năm 1945 và nhập học Cao đẳng Grinnell vào mùa thu cùng năm. Ông là ngôi sao của bộ môn lặn trong đội hình tham gia giải vô địch hội nghị vùng Trung Tây năm 1947. Ông tốt nghiệp Phi Beta Kappa với một bằng cử nhân ngành Vật lý và Toán học từ Cao đẳng Grinnell vào năm 1949. Ông cũng đã nhận được một giải thưởng danh dự từ các bạn học của mình: giải thưởng Brown Derby, và được công nhận là "người đàn ông đẳng cấp đã đạt được điểm số cao nhất với ít nỗ lực nhất trong công việc."

Trong khi đang học, Noyce tham dự một lớp vật lý của giáo sư Grant Gale và đã bị cuốn hút bởi môn vật lý. Gale đã từng giữ hai bóng bán dẫn đầu tiên bên ngoài Phòng thí nghiệm Bells và cho lớp của ông được chiêm ngưỡng, Noyce đã bị thu hút.

Ông tham gia cùng William Shockley, nhà đồng phát minh ra bóng bán dẫn và sau này là người đoạt giải Nobel tại Shockley Semiconductor Laboratory, một bộ phận của Beckman Instruments.

Noyce nghỉ việc cùng nhóm "Tám kẻ phản bội"

Cuộc sống cá nhân

Hôn nhân

Năm 1953, Noyce kết hôn với Elizabeth "Betty" BottomleyIn 1953, Elizabeth được sinh vào ngày 7 tháng 10, năm 1930 tại Auburn, Massachusetts, là con gái của Frank Bottomley và Helen McLaren. Elizabeth mất vào ngày 18 tháng 9 năm 1996 tại Bremen. Bà tốt nghiệp trường Mt. Holyoke College năm 1951. Bà chuyển đến Maine năm 1976 sau khi hôn nhân kết thúc và là kết quả của hôn ước, bà được nhận một nửa tài sản chung của hai vợ chồng. Bà trở thành nhà từ thiện và nhà sưu tập nghệ thuật hàng đầu ở Maine. Cả hai vợ chồng có tất cả bốn người con.

Vào 27 tháng Mười Một, năm 1974, Noyce kết hôn cùng Ann Schmeltz Bowers. Bowers là một sinh viên tốt nghiệp năm 1959 của Đại học Cornell, đã được nhận bằng Tiến sĩ danh dự của Đại học Santa Clara, nơi bà là một người được ủy thác trong gần 20 năm. Bà là Giám đốc Nhân sự đầu tiên của Intel Corporation và là Phó Chủ tịch đầu tiên của bộ phận Nhân sự của Apple Inc. Hiện tại bà đang là Chủ tịch hội đồng quản trị và là ủy viên sáng lập của Noyce Foundation.

Cái chết

Noyce bị một cơn đau tim tại nhà ngày 3 tháng 6 năm 1990, ông từ trần sau đó tại Trung tâm y tế Seton thuộc Austin, Texas.

Giải thưởng và danh hiệu

Vào tháng 7 năm 1959, ông đã đăng ký bằng sáng chế Hoa Kỳ 2981877, "Semiconductor device-and-lead Structure", một loại mạch tích hợp. Nỗ lực độc lập này đã được ghi nhận chỉ một vài tháng sau các phát hiện quan trọng của nhà phát minh Jack Kilby. Nhằm tôn vinh đồng phát minh của ông về mạch tích hợp và tác động làm thay đổi thế giới của nó, ba tổng thống Hoa Kỳ đã vinh danh ông.

Noyce là người nắm giữ nhiều danh hiệu và giải thưởng. Tổng thống Ronald Reagan đã trao tặng ông Huân chương Quốc gia về Công nghệ vào năm 1987. Hai năm sau, ông được giới thiệu vào U.S. Business Hall of Fame được tài trợ bởi Junior Achievement, trong một bài thuyết trình nhân dịp lễ của Tổng thống George H. W. Bush. Năm 1990, Noyce - cùng với những người khác, Jack Kilby và nhà phát minh ra bóng bán dẫn John Bardeen - đã được nhận Huân chương Thành tựu Trọn đời trong lễ kỷ niệm hai trăm năm Đạo luật Bằng sáng chế.

Noyce nhận được huy chương Stuart Ballantine của Viện Franklin vào năm 1966. Ông đã được trao Huân chương Danh dự IEEE vào năm 1978 "vì những đóng góp của ông đối với mạch tích hợp silic, một nền tảng của các thiết bị điện tử hiện đại." Vào năm 1979, ông đã được trao Huân chương Khoa học Quốc gia. Noyce đã được bầu là Ủy viên Học viện Mỹ thuật và Khoa học vào năm 1980. Học viện Kỹ thuật Quốc gia trao tặng ông giải Charles Stark Draper năm 1989.

Tên ông được đặt cho một tòa nhà khoa học tại Cao đẳng Grinnell, trường cũ của ông.

Vào tháng 12 năm 2011, Noyce được vinh danh bằng một Google Doodle nhằm kỷ niệm 84 năm ngày sinh của ông.

Di sản

Tổ chức Noyce Foundation được thành lập năm 1991 bởi chính gia đình ông. Mục đích chính là tăng cường, cải tiến giáo dục công về toán học và khoa học cho cấp sau phổ thông.

Các bằng phát minh

Noyce đã được công nhận 15 bằng sáng chế.

• Method and apparatus for forming semiconductor structures, filed August 1954, issued February 1959, assigned to Philco Corporation
• Transistor structure and method, filed April 1957, issued March 1960, assigned to Beckmann Instruments
• Semiconductor scanning device, filed June 1959, issued November 1960, assigned to Fairchild Semiconductor
• Transistor structure and method of making the same, filed March 1957, issued January 1961, assigned to Clevite Corporation
• Semiconductor switching device, filed June 1959, issued February 1961, assigned to Fairchild Semiconductor
• Semiconductor Device and Lead Structure, filed July 1959, issued April 1961, assigned to Fairchild Semiconductor
• Field effect transistor, filed January 1958, issued November 1961, assigned to Clevite Corporation
• Field controlled avalanche semiconductive device, filed February 1958, issued July 1963, assigned to Clevite Corporation
• Method for fabricating transistors, filed June 1959, issued October 1963, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• Transistor structure controlled by an avalanche barrier, filed June 1958, issued November 1963, assigned to Clevite Corporation
• Method of making a transistor structure (coinventor William Shockley), filed April 1957, issued July 1964, assigned to Clevite Corporation
• Semiconductor circuit complex having isolation means, filed September 1959, issued September 1964, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• Method of forming a semiconductor, filed July 1963, issued May 1965, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• Solid state circuit with crossing leads, filed April 1961, issued August 1965, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• Trainable system, filed October 1964, issued June 1967, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.