✨Indi arsenide

Indi arsenide

Indi arsenua, indi monoarsenua, InAs là một chất bán dẫn bao gồm indi và arsen. InAs xuất hiện của hệ tinh thể lập phương màu xám với nhiệt độ nóng chảy 942 °C.

Indi arsenua được dùng để chế các cảm biến hồng ngoại cho phạm vi bước sóng 1–3.8 µm. Các cảm biến thường là các photodiod quang điện. Các đầu dò làm lạnh bằng nước lạnh thì có độ ồn thấp hơn, tuy nhiên cảm biến InAs cũng có thể được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao hơn ở nhiệt độ phòng. Indi arsenua cũng được sử dụng để chế tạo Điốt laser.

👁️ 2 | 🔗 | 💖 | ✨ | 🌍 | ⌚
**Indi arsenua**, **indi monoarsenua**, **InAs** là một chất bán dẫn bao gồm indi và arsen. InAs xuất hiện của hệ tinh thể lập phương màu xám với nhiệt độ nóng chảy 942 °C. Indi arsenua được
thumb|upright=1.2|Tinh thể [[osmi, một kim loại nặng có khối lượng riêng lớn gấp hai lần chì]] **Kim loại nặng** (tiếng Anh: _heavy metal_) thường được định nghĩa là kim loại có khối lượng riêng, khối
**Gali** (bắt nguồn từ từ tiếng Pháp _gallium_ (/ɡaljɔm/)), còn được viết là **ga-li**, hay thép, làm cho chúng trở nên rất giòn. Ngoài ra, gali kim loại cũng dễ dàng tạo ra hợp kim
**Nhôm** là một nguyên tố hóa học có ký hiệu **Al** và số nguyên tử 13. Nhôm có khối lượng riêng thấp hơn các kim loại thông thường khác, khoảng một phần ba so với